Полупроводники в автомобиле что это

Полупроводники в автомобиле что это

Полупроводниковые приборы и их использование на автомобиле

Кроме проводников и изоляторов имеются вещества, которые занимают промежуточное положение между ними и называются полупроводниками. Их сопротивление прохождению тока больше, чем проводников, но меньше, чем изоляторов. Полупроводниковые приборы изготавливают из полупроводниковых материалов, среди которых наибольшее распространение получили четырехвалентные элементы германий и кремний.

При введении в чистый полупроводниковый материал примеси пятивалентного вещества, например сурьмы или мышьяка, образуется избыток свободных электронов.

Свободные электроны в кристалле являются электронами проводимости, и если в полупроводнике действует электрическое поле, то свободные электроны движутся направленно, создавая в полупроводнике ток. Электропроводность полупроводника, обусловленная направленным движением свободных электронов, называется электронной проводимостью, или проводимостью типа п (от латинского слова «негатив» — отрицательный).

Рекламные предложения на основе ваших интересов:

Дополнительные материалы по теме:

• Охлаждающие жидкости двигателя автомобиля и требования к ним
• Масла для дизельных двигателем
• Кабина и ее оборудование автомобиля
• Техническое обслуживания тормозной системы
• Многоконтурный пневматический тормозной привод
• Одноконтурный пневматический тормозной привод
• Вспомогательная тормозная система
• Стояночная тормозная система
• Рабочая тормозная система

В атоме, потерявшем электрон, образуется свободное место— «дырка». На это место из соседнего атома может перейти валентный электрон, на месте которого возникает дырка. Таким образом, дырка подобно электрону будет блуждать по кристаллу. При наличии внешнего электрического поля возникает направленное движение дырок, противоположное движению электронов. Направленное движение дырок вызывает прохождение электрического тока. Подвижность дырок меньше подвижности электронов. Электропроводность полупроводника, возникающая за счет направленного движения дырок, называется дырочной проводимостью или проводимостью типа р (от латинского слова «позитив» — положительный).

В полупроводнике типа п электроны называют основными носителями тока, а дырки — неосновными. В полупроводнике типа р дырки относят к основным носителям, а электроны — к неосновным.

Таким образом, полупроводниковым диодом (электрическим вентилем) называется прибор, обладающий односторонней проводимостью и имеющий один электронно-дырочный (р—п) переход и два вывода для подключения в цепь.

В электрооборудовании автомобилей диоды нашли широкое применение для выпрямления переменного тока генератора.

Рис. 1. Полупроводниковые приборы:
1 —пластина германия с проводником типа; 2 — индий, вплавленный в пластину германия; 3 — область с проводимостью типа р; 4. 5 — вы воды (анод и катод соответственно); 6 — ширина перехода

Диод, предназначенный для поддержания постоянной величины напряжения (стабилизации напряжения), называется стабилитроном или опорным диодом. Стабилитрон представляет собой разновидность кремниевого диода с повышенным содержанием носителей зарядов в полупроводниках. При определенной величине обратного напряжения, называемого напряжением пробоя или напряжением стабилизации, происходит резкое увеличение проводимости в обратном направлении. В отличие от диода в стабилитроне этот процесс является обратимым, т. е. при уменьшении обратного напряжения до определенной величины проводимость стабилитрона в обратном направлении прекращается. Стабилитроны применяются в транзисторных регуляторах напряжения и в транзисторных системах зажигания. Условное обозначение стабилитрона на схемах показано на рис. 1, д.

Рис. 2. Схемы подключения и условные обозначения транзисторов:
а — типа р —п — р; 6 — типа п— р — л

Транзистор — это полупроводниковый прибор, обладающий усилительными свойствами. В переводе с английского транзистор означает трансформатор сопротивления. Он содержит два р—/г-перехода и три вывода для подключения в электрическую цепь.

Один из выводов соединен с базой, т. е. основанием транзистора, другой—с эмиттером и предназначен для эмиттиро-вания, т. е. введения носителей электрических зарядов в базу, а третий—с коллектором; он является собирателем этих зарядов Транзисторы, у которых плюс подключен к эмиттеру, а минус — к коллектору, называют транзисторами прямой проводимости (типа р — п — р) и, наоборот, у транзисторов обратной проводимости (типа п — р — п) плюс подключается к коллектору, а минус— к эмиттеру.

На базу транзистора подается малый ток управления проводимостью р — «-переходов, а по цепи эмиттер — коллектор “Ротекает значительно больший ток. Таким образом, транзистор обладает усилительными свойствами и может работать как в режиме усиления, так и в режиме переключения.

Схема подключения транзистора прямой проводимости и его условное обозначение показаны на рис. 2, а.

При соответствующем потенциале базы носители зарядов 113 эмиттера (источника электрических зарядов) проходят к коллектору (собирателю электрических зарядов) и в цепи нагрузки появляется ток.

При подаче на базу отрицательного потенциала (переключатель П соединить с клеммой 1) в цепи эмиттер — база транзистора прямой проводимости появится управляющий ток, что и обеспечит протекание тока в цепи нагрузки эмиттер—коллектор, т. е. транзистор откроется.

В случае подачи на базу положительного потенциала (переключатель П соединить с клеммой 2) транзистор закроется (переход эмиттер — коллектор обладает большим сопротивлением). Если на базе транзистора управляющий потенциал отсутствует (цепь базы разомкнута), то транзистор будет закрыт.

Схема подключения транзистора обратной проводимости и его условное обозначение показаны на рис. 2, б.

Эмиттер транзистора обратной проводимости соединяют с отрицательным полюсом источника тока. При подаче на базу положительного потенциала, в цепи эмиттер —база транзистора обратной проводимости появится управляющий ток и транзистор откроется. При подаче на базу отрицательного потенциала транзистор закроется.

Таким образом, управляя весьма малым током базы транзистора, можно бесконтактно включать и выключать значительный ток в цепи эмиттер — коллектор. В реле-регуляторах и системах зажигания транзисторы работают в двух устойчивых состояниях: «открыт» и «закрыт».

Лаборатория полупроводников Audi

Системы беспилотной езды, внедрение электронных компонентов в силовые установки и объединение автомобилей в сеть – в основе всех этих инноваций лежат полупроводниковые технологии. «Более 80 процентов всех инноваций в современных автомобилях стали возможными благодаря микроэлектронике», — так сказал Стефан Саймон, эксперт по полупроводникам из отдела контроля качества. «В общей сложности в современном автомобиле используется порядка 8000 полупроводников в 100 взаимосвязанных блоках управления. Вычислительная мощность каждого из этих устройств выше, чем у первой ракеты, долетевшей до луны».

Полупроводниковая лаборатория Audi Semiconductor Lab работает по принципам и методикам превентивного менеджмента качества. Лаборатория выполняет важную функцию связи между разными подразделениями – она является центром контроля качества и анализа проводников, а также в ней занимаются технологиями сборки и подключения. Все это работает как внутри компании, так и при сотрудничестве с партнерами из промышленной и исследовательской отраслей.

Также лаборатория является экспертным органом, поскольку осуществляет межотраслевую и междисциплинарную оценку компонентов и сборок, а также в ней изучаются сборочные и производственные процессы. Еще одна ее задача – квалификация сотрудников разных специальностей. Столь широкий спектр полномочий и возможностей делает Audi Semiconductor Lab абсолютно уникальной во всей европейской автомобильной промышленности.

Эксперты лаборатории оценивают различные компоненты (собственные сборки модулей управления) на предмет их пригодности, надежности и качества сборки. На ранних этапах разработки сотрудники составляют и проверяют требования, которым должен соответствовать чип, который позже будет использоваться в автомобилях (и эти требования заметно отличаются о тех, которые используются в других отраслях). Средний срок службы смартфона составляет два года, а у автомобиля – около 15 лет. Более того, сценарии использования и нагрузки, которым подвергаются автомобили, несравнимы с теми, с которыми сталкиваются смартфоны. «Полупроводники должны проектироваться и изготавливаться так, чтобы учитывались перепады температур, влажность и вибрации, возникающие в автомобиле», пояснил эксперт по полупроводникам Оливер Зентфлебен.

Также компоненты проверяются на предмет устойчивости к временному износу, поскольку в автомобиле процессы могут возникать процессы ускоренного старения. Среди различных исследований в этой области можно выделить ускоренное старение в термальной камере. Также физический анализ применяется для изучения производственных качеств устройств и их поведения при старении.

Рентгеновский анализ

В лаборатории установлен современный рентгеновский аппарат и сканирующий электронный микроскоп. Для проведения особых процедур анализа полупроводниковых чипов специалисты лаборатории работают вместе с коллегами из лаборатории материаловедения.

Например, они совместно осуществляют пробоподготовку с помощью пучков сфокусированных ионов (FIB) (используя сканирующий электронный микроскоп, испускающий пучки сфокусированных ионов). Все эти методы могут применяться для проверки блоков управления на предмет возникновения серийных и технологических ошибок.

Цифровизация

За последние годы приоритеты заметно поменялись. Несмотря на то, что водители сравнивают характеристики разных и транспортных средств и обращают внимание на их дизайн, также они ожидают внедрения современных технологий. В качестве примера таких технологий можно привести систему передачи данных о движении Audi Connect, подключение и интеграцию смартфонов, а также современные системы помощи водителю.

Чтобы удовлетворить клиентским требованиям, автомобильная промышленность должна все чаще использовать и внедрять передовые технологии. Раньше компоненты считались пригодными для использования в автомобилях после нескольких лет использования в бытовой электронике. Сейчас же новые компоненты появляются в автомобилях намного быстрее, а чтобы гарантировать высокую производительность, они проходят предварительные проверки. Чтобы гарантировать высокие стандарты качества, Audi Semiconductor Lab занимается формированием требований и оценкой технологий. Различные стандарты потребительского сектора (например, температуры от 0 °C до 40 °C) сравниваются с автомобильными (от -40 °C до 125 °C ), а также проверяются требования к сроку службы. Так, например, приложение Audi MMI можно использовать для просмотра состояния автомобиля, управления климат-контролем или проверки уровня заряда. Таким образом, автомобиль постоянно подключен к элементам инфраструктуры и взаимодействует с ними, что заметно увеличивает срок безотказной работы компонентов для сетевого взаимодействия. Также стоит отметить, что некоторые автомобильные приложения будут эксплуатироваться как «постоянно работающие».

autoSWIFT — электронные компоненты для автомобильной промышленности

Чтобы соответствовать высоким темпам инноваций в отрасли и иметь возможность быстро реагировать на новые разработки, AUDI AG сотрудничает с ведущими компаниями в области полупроводников и электронной промышленности. Так, например, будут заложены основы стандартизированной оценки технологий вместе с FZI Forschungszentrum Informatik, Globalfoundries, HOOD GmbH, Infineon Technologies AG и Robert Bosch GmbH. Исследовательский проект autoSWIFT подразумевает «ускорение циклов разработки электронных систем по всей цепочке создания добавленной стоимости автомобилей». Программа нацелена на внедрение в автомобили инновационных и высококачественных электронных компонентов, основанных на новейших производственных технологиях, причем разработка и интеграция должны осуществляться быстрее, чем раньше. Что касается требований, которые будут предъявляться к процессам разработки в будущем, в настоящее время сотрудники исследуют как можно превратить цепочку создания добавленной стоимости в полноценную сеть.

Bond Tester

«Сотрудничество компаний и междисциплинарные совместные разработки призваны оценить пригодность технологий на этапе разработки и интегрировать их в процессы проектирования продуктов на ранних этапах», объясняет Гельмут Лохнер, эксперт из Audi Semiconductor Lab и руководитель проекта autoSWIFT. Такой подход позволит привести полупроводниковые технологии в соответствие с высокими стандартами качества автомобильной промышленности.

Технологии освещения

В новых Audi A8 и Audi TT RS (общий расход топлива в литрах на 100 км: 8.2 — 8.5, выбросы CO2 в граммах на км – 187 — 194) компания использует новые системы заднего освещения с использованием технологии OLED. В отличие одноточечных источников света (таких, как светодиоды) OLED-устройства являются поверхностными источниками. Их свечение выводит однородность подсветки на новый уровень. Они не отбрасывают резких теней и не требуют отражателей, светодиодов и других оптических компонентов. Все это делает OLED-блоки эффективными и легкими, а их требования к пространству – минимальными. Разделение OLED-подсветки на небольшие индивидуально управляемые сегменты с трехмерным расположением позволяет разрабатывать новые сценарии освещения, которые дают дизайнерам больше творческой свободы в проектировании и анимации.

В каждом OLED-устройстве содержится два электрода (по крайней мере один из них – прозрачный) и множество тонких слоев из органических полупроводниковых материалов. Низкое напряжение заставляет эти слои (они в 200 раз тоньше человеческого волоса) светиться. Все это позволило Audi перенести свое ДНК в современные технологии.

Сотрудники лаборатории принимали участие в многоступенчатом процессе тестирования, которому была подвергнута эта технология перед внедрением в серийное производство. Испытания варьировались от разработки конкретных модулей реализации и проверки базовой технологии и OLED до тестирования задний фонарей в сборе. Особое внимание уделялось уникальным аспектам использования, характерным автомобильной индустрии (например, ускоренному старению, вызванному окружающей средой или обычному пассивному старению).

Первое в истории использование OLED-блоков в автомобильной индустрии потребовало разработки и анализа конкретных параметров этой технологии. Audi Semiconductor Lab совместно с отделом технического развития провели полную оценку технологии для разных приложений еще на этапе ее разработки. В самой технологии и производственных процессах продуктов, использующих ее, были выявлены и устранены слабые места. Требования к технологии OLED были определены для будущих проектов и закреплены в качестве стандартов.

Электрификация

Audi активно работает над электрификацией своих систем и разрабатывает концепции экологичной мобильности. Частью этих проектов является силовая электроника – сердце любого электрифицированного автомобиля. Ядром этих систем являются инверторы с широтно-импульсной модуляцией (с точки зрения технологий, это один из наиболее требовательных компонентов).

Это устройство преобразует постоянное напряжение от высоковольтной батареи в трехфазный переменный ток для питания электродвигателя. Высокопроизводительные полупроводники в инверторах занимают примерно 1 квадратный сантиметр. Каждый из них должен передавать ток силой в 100 ампер с частотой 10 кГц. Несмотря на эффективное охлаждение, возникающие в результате потери мощности в кристалле приводят к быстрому старению электрических контактных соединений.

Начиная с Audi Q5 hybrid quattro (2011 г.), затем Audi Q7 e-tron quattro (2016 г .; расход топлива в в л / 100 км: 1,8 – 1,9; расход энергии в кВтч / 100 км: 18,1–19,0; выбросы CO2 в г / км: 48-50) и для будущей Audi e-tron (2018), сотрудники Semiconductor Lab сделали многое для технологического развития силовой электроники. Так, например, они оценивали технологические соединения между микросхемами и радиаторами, за счет чего проверяли тепловые характеристики. Механизмы старения, при этом, оценивались наравне с техническими процессами, применяемым к отдельным технологиям. К техническим процессам относят пайку, сварку и обжиг – так называемые технологии монтажа и соединения. Результаты работы экспертов имели фундаментальное значение для создания общекорпоративной нормы, которая была частично переработана в немецкий промышленный стандарт в 2017 году.

RoBE — надежность креплений в электромобилях

Чтобы обеспечить надежное прогнозирование сроков службы каждого крепления на этапе использования, Audi объединила усилия с партнерами из отрасли и сторонних исследователей в проекте RoBE (надежность креплений в электромобилях). Цель этого проекта в том, чтобы как минимум вдове увеличить срок службы потребительской электроники. Проект, в котором также участвуют исследовательские институты Fraunhofer IZM и Fraunhofer ILT, нацелен на формирование более глубокого понимания разнообразия и взаимных зависимостей в технологиях соединения. В настоящее время разрабатываются новые технологии (такие как лазерная сварка) и исследуются новые материалы, котроые позволяет преодолеть современные ограничения.

Наиболее важным стимулом для проведения совместных исследований инновационных решения исследовательскими институтами является объединение компетенций на всей цепочки разработки продуктов. Критериев оценивания и стандартов испытания для новых технологий зачастую просто не существует. Таким образом, Semiconductor Lab участвует в разработке спецификаций качества на самых ранних стадиях различных проектов и способствует их продвижению в различных отраслях.

Автоматизация вождения

Новая Audi A8 – это первый в мире серийный автомобиль, предназначенный для частичного использования систем беспилотной езды 3 уровня в соответствии с международными стандартами. Система Audi AI может брать на себя управление в медленном транспортном потоке со скоростью до 60 км/ч, на шоссе и на многополосных дорогах с физическим барьером, разделяющим полосы. Во время езды под управлением ИИ центральный контроллер (zFAS) непрерывно анализирует сведения об окружающей среде, объединяя данные с разных датчиков. Также Audi стала первой компаний, в автомобилях которой используются лазерные сканеры.

Сканер увеличивает угол обзор радара дальнего действия с 35 до 145 градусов. Благодаря широкому полю зрения автомобиль сможет раньше распознавать других участников дорожного движения и интерпретировать их поведение (например, выезд из полосы движения). «Представьте, что лазерный сканер испускает лучи света, которые сканируют окружение автомобиля за доли секунды», сказал Роберт Краус, эксперт по производственным технологиям в Semiconductor Lab. Вращающееся зеркало в компактном корпусе направляет лучи мощного диода по области сканирования. Новый сканер не просто обнаруживает препятствия, он также может определять точное расстояние до них. Это делается путем измерения времени между испусканием луча и его обнаружением на фотодиоде.

Сотрудники Semiconductor Lab готовились к внедрению лазерных сканеров в новой A8 c 2014 года. В сотрудничестве с Technical Development они разработали исчерпывающие спецификации для самой детали и ее компонентов. Прежде чем впервые быть использованными в автомобильной индустрии, лазерные диоды применялись в бытовой электронике, а еще раньше они подвергались многочисленным испытаниям и анализам в различных лабораториях. На основе результатов этих тестов была проведена оптимизация производственных процессов для диодов с целью удовлетворения требованиям к качеству.

• Блог компании НПП ИТЭЛМА
• Производство и разработка электроники
• Научно-популярное
• Транспорт

Полупроводниковые приборы в автомобиле

Использование одного или нескольких p-n-переходов в одном кристалле полупро­водника позволяет создавать недорогие, надежные и компактные полупроводниковые приборы. Вот о том, какие полупроводниковые приборы получаются при использовании p-n-переходов, мы и поговорим в этой статье.

1. Диоды
   • Выпрямительный диод
   • Выпрямительный диод для высокого обрат­ного напряжения
   • Переключательный диод
   • Диод Зенера
   • Варикап
   • Диод Шотки
   • Солнечный элемент
   • Фотодиод
   • Светодиод (LED)
2. Биполярные транзисторы
   • Работа биполярного транзистора
3. Полевые транзисторы
   • Работа обедненного слоя (управляющего р-n-перехода) полевого транзистора с управляющим р-n переходом
   • Работа MOS-транзистора
   • р-канальные MOS-транзисторы, n-канальные MOS-транзисторы и CMOS-транзисторы
   • Гибридная технология BCD

Один p-n-переход образует диод, два p-n-перехода используются в транзисто­рах. Планарная технология позволяет соче­тать в одном кристалле различные элементы и формировать интегральные полупрово­дниковые микросхемы. Полупроводниковые микросхемы занимают от одного до сотен квадратных миллиметров и обычно устанав­ливаются в стандартные оболочки (металли­ческие, керамические, пластиковые).

Диоды

Диод — полупроводниковое устройство, содер­жащее один p-n-переход. Свойства единич­ного диода определяются схемой распределе­ния легирующей примеси в кристалле. Диоды, способные пропускать в прямом направлении ток более 1 А, считаются силовыми.

Выпрямительный диод

Выпрямительный диод действует как одно­именная электронная лампа — пропускает ток в одном направлении, т.е. идеально под­ходит для выпрямления переменного тока. Обратный ток бывает приблизительно в 10 7 раз меньше, чем ток в прямом направлении (рис. «Вольтамперная характеристика кремниевого диода» ). Он сравнительно быстро возрастает при повышении температуры.

Выпрямительный диод для высокого обрат­ного напряжения

Напряжение в выпрямителях с высоким об­ратным напряжением падает в области про­странственного заряда. Так как эта область, как правило, размером всего несколько микрон, для нее характерна высокая напряженность электрического поля, при которой свободные электроны могут значительно ускоряться. Уско­ренные электроны могут привести к разрушению полупроводника (лавинный пробой). Чтобы из­бежать этого, между р- и n-слоями размещают слой с собственной проводимостью, так как этот слой содержит некоторое количество свободных электронов, что снижает опасность пробоя.

Переключательный диод

Переключательный диод обычно используется для бы­строго переключения между высоким и низким полными сопротивлениями. Более быстрая ха­рактеристика переключения может достигаться путем диффузии золота в материал (обеспе­чивает электронно-дырочную рекомбинацию).

Диод Зенера

В диоде Зенера при достижении некоторого начального уровня обратного напряжения происходит резкое возрастание электриче­ского тока. Это явление соответствует пробою Зенера (туннельный пробой p-n-перехода) и/ или лавинному пробою. Диоды Зенера пред­назначены для непрерывной работы в режиме пробоя. Они часто используются для обеспе­чения постоянного или опорного напряжения.

Варикап

Область пространственного заряда в p-n-переходе функционирует как конденсатор. Диэ­лектрик конденсатора представляет собой полу­проводниковый материал, в котором отсутствуют носители заряда. Повышение напряжения рас­ширяет обедненный слой и уменьшает емкость, а уменьшение напряжения ее повышает.

Что такое полупроводники. Объясняем простыми словами

Полупроводники — кристаллические вещества (химические элементы, соединения и сплавы), которые по способности проводить электрический ток занимают промежуточное положение между проводниками (металлами) и диэлектриками (изоляторами).

Полупроводники в нормальном состоянии проводят небольшое количество тока или не проводят вообще. Но с ростом температуры или под действием света начинают лучше пропускать электрические заряды. Также проводимость полупроводников меняется при введении примеси — этот процесс называется «легирование».

Самый известным полупроводник — кремний (Si).

Ключевые современные полупроводниковые устройства — процессоры и иные микросхемы.

Полупроводники есть как почти во всех девайсах, которыми мы ежедневно пользуемся, так и в крупной промышленной, медицинской и другой технике: смартфонах, компьютерах, телевизорах, автомобилях, аппаратах ИВЛ, космических спутниках и т. п.

Пример употребления на «Секрете»

«Из-за дефицита полупроводников Минпромторг хочет организовать в России собственное производство кристаллов для радиоэлектронной аппаратуры. Тендер на проведение опытно-конструкторских работ (ОКР) для выращивания монокристаллов арсенида галлия и германия (GaAs и GeAs) диаметром 100 и 150 мм объявили в конце сентября. На работы выделяют 1,2 млрд рублей в течение четырёх лет».

Кризис полупроводников

Вскоре после того как весной 2020 года на фоне пандемии коронавируса автопроизводители сократили заказы, во всём мире возникла нехватка чипов для электроники. Как [объяснил] (https://secretmag.ru/news/deficit-mikroskhem-dobralsya-do-rossiiskogo-avtoproma.htm) генеральный директор научно-производственного предприятия ИТЭЛМА Евгений Горелик, цикл производства микросхем превышает шесть месяцев и предусматривает выращивание кремниевых кристаллов. Из-за специфики производства кристаллов производители запускают процесс выращивания раз в квартал, а некоторые и вовсе раз в год. При этом обычно их производят в большом количестве, а затем отправляют одну часть в корпусы, а вторую часть — на склад. За первый год пандемии запасы производителей кристаллов сократились до нуля.

Кроме коронавируса, повлиял рост спроса со стороны производителей других товаров, особенно бытовой электроники. Затем на поставках сказались [ледяной шторм в Техасе] (https://secretmag.ru/news/v-ssha-krupnye-zavody-priostanovili-rabotu-iz-za-anomalnykh-kholodov-i-snegopadov.htm), который остановил работу некоторых производителей микросхем из-за сбоев в подаче электроэнергии, и пожар на фабрике чипов компании Renesas в Японии.

Дефицит полупроводников заставил сразу несколько крупных производителей отказаться от полноценного выпуска автомобилей. Например, по этой причине General Motors пришлось на неделю приостановить производство электромобилей Chevrolet Bolt и Bolt EUV. О нехватке сообщали Ford, Honda и другие компании. В результате в России [очереди] (https://secretmag.ru/news/ocheredi-za-avtomobilyami-v-rossii-dostigli-kolossalnykh-razmerov-15-09-2021.htm) на новые иномарки достигли колоссальных размеров.

Мировой дефицит добрался и до российского автопрома. Некоторое время автозаводы покрывали нехватку чипов из складских запасов, но к лету нехватка стала заметной проблемой. Завод Volkswagen в России неоднократно [приостанавливал] (https://secretmag.ru/news/volkswagen-snova-priostanovit-zavod-v-rossii-iz-za-nekhvatki-chipov-02-09-2021.htm) работу. АвтоВАЗ также в течение лета несколько раз прекращал производство некоторых моделей.

Из-за дефицита пришлось [отложить] (https://secretmag.ru/news/obyazatelnuyu-ustanovku-glonass-otlozhili-iz-za-deficita-mikroskhem-24-08-2021.htm) обязательную установку системы ГЛОНАСС на выпускаемых на территории Европейского экономического союза (ЕАЭС) автомобилях.

В компании Boston Consulting Group (BCG) ожидают, что стабилизация наступит не раньше второго полугодия 2022-го.

Мнение

Миллиардер Илон Маск сравнил дефицит микрочипов, с которым столкнулся мир в 2021 году, с нехваткой туалетной бумаги, которую пережили многие страны в начале пандемии коронавируса. Несмотря на столь несерьёзную аналогию, проблема с поставками полупроводников, по признанию миллиардера, стала «самым большим вызовом для Tesla». Маск отметил, что «никогда не видел ничего подобного».